原创力文档- 2
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- 2024-04-06 发布于四川
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本申请提供一种显影后冲洗装置，包括喷嘴和吸盘，喷嘴的数量至少有5个，至少5个喷嘴与一吸盘对应设置，每一吸盘用于放置一晶圆，喷嘴用于喷射去离子水，每一喷嘴流出的去离子水的水流量为30‑200L/h，每一吸盘的转速为30‑80r/min。通过对喷嘴以及吸盘的改进，以减小喷嘴的水流量和晶圆转速，来减小去离子水与晶圆表面的摩擦力，从而降低晶圆在显影后冲洗的过程中产生静电的风险，以提高栅极氧化物完整性能力，同时将喷嘴的数量设置为至少5个与一吸盘对应设置，以保证光刻胶和显影液反应物去除干净，即采用此种方式可
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220731456U
(45)授权公告日2024.04.05
(21)申请号202320959921.5
(22)申请日2023.04.24
(73)专利权人粤芯半导体技术股份有限公司
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