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本发明公开了一种具有过压保护功能的低压沟槽MOSFET及其制作方法。该方法包括提供衬底，并在衬底上制作外延层；在外延层上刻蚀形成沟槽；在沟槽及外延层的上侧生长栅氧化层，并在栅氧化层的上侧沉积第一导电类型的多晶硅，多晶硅经刻蚀形成设置在外延层上侧的二极管多晶硅，二极管多晶硅的外端与截止区多晶硅连接；对二极管多晶硅的内端注入第二导电类型的元素；对有源区和最外侧的沟槽外侧的外延层内注入第二导电类型的元素，并通过推阱操作形成第一掺杂区，同时使所述二极管多晶硅形成二极管结构。本发明可实现MOSFET对工作
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117832285A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202410239634.6
(22)申请日2024.03.04
(71)申请人南京华瑞微集成电路有限公司
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