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垂直存储器件.pdf

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    一种垂直存储器件包括：衬底，包括单元阵列区域和延伸区域；栅电极，以多个层级一个堆叠在另一个上，其中栅电极中的每个包括垫，以及其中设置在栅电极上的垫在衬底的延伸区域上形成至少一个阶梯结构；沟道，在衬底的单元阵列区域上沿第一方向延伸穿过栅电极中的至少一个；以及虚设栅电极组，设置在衬底的延伸区域上，其中虚设栅电极组包括虚设栅电极，其中虚设栅电极中的每个与栅电极当中的堆叠在相同层级处的对应栅电极间隔开，其中虚设栅电极组在第二方向上彼此间隔开。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN111725220A

    (43)申请公布日

    2020.09.29

    (21)申请号20201

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