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固体物理与半导体物理智慧树知到期末考试答案2024年

固体物理与半导体物理

由于载流子存在浓度梯度而产生的电流是（）电流，

A:漂移B:散射C:热运动D:扩散

答案:扩散

若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（）

A:不含施主杂质B:不含任何杂质C:处于绝对零度D:不含受主杂质

答案:处于绝对零度

按照费米分布，费米能级所对应的能态电子占据的几率为（）。

A:0.5B:1C:0D:不确定

答案:0.5

杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率()

A:不确定B:变小C:变大

答案:变小

电离后向半导体提供电子的杂质是（）。

A:受主杂质B:电离杂质C:施主杂质D:中性杂质

答案:受主杂质###施主杂质

金属和n型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体表面电子势垒高度将降低，空间电荷区宽度将相应地（）

A:不确定B:增大C:不变D:减小

答案:减小

在通常情况下，GaN呈（）型结构

A:体心对称B:面心对称C:六方对称性D:立方对称性

答案:六方对称性

关于空穴，下列说法不正确的是（）

A:空穴具有正的有效质量B:半导体中电子空穴共同参与导电C:空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子D:空穴带正电荷

答案:空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子

描述晶体宏观对称性的基本对称元素有()

A:48个B:230个C:320个D:8个

答案:8个

硅晶体结构是金刚石结构，每个晶胞中含原子个数为（）

A:2B:1C:8D:4

答案:8

非简并半导体是指（）的半导体。

A:用费米分布计算载流子浓度B:能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度C:不能用费米分布计算载流子浓度D:不能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度

答案:能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度

半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的（）。

A:表面复合速度B:复合机构C:杂质浓度梯度D:散射机构

答案:散射机构

硅是_______结构（）

A:闪锌矿型结构B:纤锌矿型结构C:金刚石型结构D:密堆积结构

答案:金刚石型结构

电子陷阱存在于()型半导体中

A:本征B:简并C:PD:N

答案:P

对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级Ef随温度上升而（）

A:单调下降B:经过一极大值趋近EiC:经过一极小值趋近EiD:单调上升

答案:经过一极大值趋近Ei

晶格常数为a的面心立方晶格，原胞体积等于（）

A:a/4B:2aC:aD:a/2

答案:a/4

Si晶体的固体物理学原胞包含___个原子()

A:16B:4C:8D:12

答案:8

与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。

A:和绝缘体的相同B:和绝缘体相比不确定C:比绝缘体的大D:比绝缘体的小

答案:比绝缘体的小

若某材料电阻率随温度升高而单调下降，该材料是（）

A:金属导体B:本征半导体C:杂质半导体D:并半导体

答案:本征半导体

关于公式np=ni，下列说法正确的是（）

A:此公式不仅适用于本征半导体材料，也适用于杂质半导体材料B:对于非简并条件下的所有半导体材料，此公式都适用C:此公式仅适用于杂质半导体材料D:此公式仅适用于本征半导体材料

答案:对于非简并条件下的所有半导体材料，此公式都适用

如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主

A:本征B:电子C:杂质D:空穴

答案:电子

晶格振动的能量量子称为()

A:光子B:激子C:声子D:极化子

答案:声子

氯化钠晶体结构是由()

A:由二套面心格子沿体对角线方向1/4长度套构而成B:由二套面心立方格子沿晶轴方向1/2长度套构而成C:由一套体心格子和一套面心格子沿体对角线方向1/4长度套构而成D:由二套体心立方格子沿体对角线方向1/4长度套构而成

答案:由二套面心立方格子沿晶轴方向1/2长度套构而成

施主杂质电离后向半导体提供（）

A:电子B:电子和空穴C:空穴D:不确定

答案:电子

描述晶体对称性可以概括为()个点群

A:16B:32C:64D:8

答案:64

如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主

A:杂质B:本征C:电子D:空穴

答案:空穴

以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μ与温度的（）次方成正比

A:2/3B:-2/3C:3/2D:-3/2

答案:-3/2

晶体结构的基本特点是具有（）

A:重复性B:单一性C:周期性D:各向异性

答案:周期性###重复性

半导体材料最常