高电压技术(周泽存)课后作业与解答.docx

高电压技术课堂作业第一章

P11,1-1解答：

电介质极化种类及比较

极化种类

产生场合

所需时间

能量损耗

产生原因

电子式极化

任何电介质

10~15s

无

束缚电子运动轨道

偏移

离子式极化

离子式电介质

10~13、

几乎没有

离子的相对偏移

转向极化

极性电介质

10-10s～10-2s

有

偶极子的定向排列

空间电荷极化

多层介质交界面

10-2s～数分钟

有

自由电荷的移动

在外电场的作用下，介质原子中的电子运动轨道将相对于原子核发生弹性位移，此为电子式极化或电子位移极化。

离子式结构化合物，出现外电场后，正负离子将发生方向相反的偏移，使平均偶极距不再为零，电介质对外呈现

出极性，这种由离子的位移造成的极化称为离子式极化。

极性化合物的每个极性分子都是一个偶极子，在电场作用下，原先排列杂乱的偶极子将沿电场方向转动，整个电

介质的偶极矩不再为零，对外呈现出极性，这种由偶极子转向造成的极化称为偶极子式极化。

在电场作用下，带电质点在电介质中移动时，可能被晶格缺陷捕获或在两层介质的界面上堆积，造成电荷在介质

空间中新的分布，从而产生电矩，这就是空间电荷极化。

1-6

解答：由于介质夹层极化，通常电气设备含多层介质，直流充电时由于空间电荷极化作用，电荷在介质夹层界面上堆积，初始状态时电容电荷与最终状态时不一致；接地放电时由于设备电容较大且设备的绝缘电阻也较大则放电时间常数较大(电容较大导致不同介质所带电荷量差别大，绝缘电阻大导致流过的电流小，界面上电荷的释放靠电流完

成),放电速度较慢故放电时间要长达5～10min。

补充：1、画出电介质的等效电路(非简化的)及其向量图，说明电路中各元件的含义，指出介质损失角。

图1-4-2电介质的等效电路

E

E

图1-4-1电介质中的

电流密度和场强相量

图1-4-2中，R为泄漏电阻；I为泄漏电流；C?为介质真空和无损极化所形成的电容；I?为流过C。的电流；C,为有损极化所引起的电容；R,为有损极化所形成的等效电阻；I为流过R。—C,支路的电流，可以分为有功分量Ip

和无功分量Ip。

Jg为真空和无损极化所引起的电流密度，为纯容性的；Jik为漏导引起的电流密度，为纯阻性的；J,为有损极化所引起的电流密度，它由无功部分Jpe和有功部分Jpr组成。容性电流J。与总电容电流密度向量J之间的夹角为δ,称为介质损耗角。介质损耗角简称介损角δ,为电介质电流的相角领先电压相角的余角，功率因素角φ的余角，其正

切tgδ称为介质损耗因素，常用%表示，为总的有功电流密度与总无功电流密度之比。

第二章

P45,2-1

解答：汤逊理论认为电子崩向阳极不断发展，崩中的正离子撞击阴极也产生自由电子。自由电子的撞击电离和正

离子撞击阴极表面的电离的放电产生和发展的原因。

流注理论认为电子崩发展使崩头和崩尾场强增加而崩内场强减少，有利于崩内发生复合产生大量的光子，而光子

又产生光电离，光子产生的电子也产生二次电子崩迅速汇入到主崩，以等离子体的形式向阴极发展就形成了流注。

异同点分为下面的相同点和相异点：

相同点：两者产生和发展都需要碰撞电离和电子崩。

相异点：汤逊理论主要考虑了电子的碰撞电离和正离子撞击阴极表面的电离；流柱理论主要考虑了电子的碰撞电

离、空间电荷对电场畸变的影响和空间光电离。

应用条件：汤逊理论适合低气压、小距离的情况，δs0.26cm,比较均匀的电场适用；流注理论是高气压、远

距离的情况，δs0.26cm或不均匀的电场适用。

补充：1、说明巴申定律的实验曲线的物理意义是什么?

解答：巴申曲线如下图所示：

δ·S(cm)

其物理意义在于：在均匀的电场中，击穿电压U,是气体的相对密度δ、极间距离S乘积的函数，只要δ·S的乘

积不变，U,也就不变。

其原因可解释如下：假设S保持不变，当气体密度δ增大时，电子的平均自由行程缩短了，相邻两次碰撞之间，电子积聚到足够动能的几率减小了，故U,必然增大。反之当δ减小时，电子在碰撞前积聚到足够动能的几率虽然增大了，但气体很稀薄，电子在走完全程中与气体分子相撞的总次数却减到很小，欲使击穿U,也须增大。故在这两者之间，

总有一个δ值对造成撞击游离最有利，此时U,最小。同样，可假设δ保持不变，S值增大时，欲得一定的场强，电压

必须增大。当S值减到过小时，场强虽大增，但电于在走完全程中所遇到的撞击次数己减到很小，故要求外加电压增

大，才能击穿。这两者之间，也总有一个S的值对造成撞击游离最有利，此时U,最小。

2、什么叫“污闪”?发生污闪的最不利的大气条件是什么?列举提高污闪电压