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2024-04-11 发布于湖北
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SRAM电路设计与版图实现

摘要

随着半导体加工工艺的发展,晶体管的特征线宽越来越小,现已降到数十纳米数量级。这一变化趋势在提高芯片集成度的同时提高了晶体管的工作速度,但也加剧了晶体管阂值电压的波动,给的设计带来新的挑战。论文以提高速度、降低功耗、减小面积和抑制工艺波动为主要目标,通过研究Windbond0.5umSRAM的结构,最终设计完成了一块1024x32的SRAM。针对第一级高速缓存的性能需要，进行小容量高性能SRAM设计。

存储器高性能体现在电路设计和版图设计两个方面，分成时钟模块、锁存模块、译码模块、存储模块和IO模块等五个模块分别进行设计

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