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03N10A
100V/3.0AN-ChannelAdvancedPowerMOSFET
Description
The03N10Ausesadvancedtrenchtechnologyand
D
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It
canbeusedinawidevarietyofapplications.
G
GeneralFeatures
●V=100V,I=3.0A
DSDS
RDS(ON)135mΩ@VGS=10V
Schematicdiagram
●HighdensitycelldesignforultralowRdson
D
Application
●Powerswitchingapplication
●Hardswitchedandhighfrequencycircuits
●UninterruptiblepowersupplyGS
SOT-23-3L
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
A
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-SourceVoltageVDS100V
Gate-SourceVoltageVGS±20V
DrainCurrent-ContinuousTC25°CID3.0A
DrainCurrent-Pulsed(Note1)TC25°C
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