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本发明公开了一种氮化物LED及其制备方法。所述氮化物LED包括第一氮化物材料层、氮化物发光层以及第二氮化物材料层；第一氮化物材料层包括种子层、第一形核层、第二形核层以及图形结构层，还包括镶嵌的第一间隔结构和第二间隔结构，两者相互交错分布；第一图形结构以第一间隔结构之间的第二形核层为模板生长形成，第二图形结构以第二间隔结构之间的第二形核层为模板生长形成；氮化物发光层以图形结构层作为生长模板外延生长形成。本发明利用第一和第二图形结构的尺寸差异以及弯曲的表面，进一步提高发光层的侧向外延程度，使得外延中
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117855356A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202410050799.9
(22)申请日2024.01.12
(71)申请人江苏第三代半导体研究院有限公司
地
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