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本实用新型涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种高强度半导体单晶炉支架，包括支架，支架底部安装有单晶炉主体，所述单晶炉主体与支架之间设有缓冲组件；支架顶部设有用于清理单晶炉外壁的清理组件；支架侧面固定有升降座，所述升降座上滑动连接有用于载人升降维护单晶炉顶端设备的升降组件。本实用新型中，缓冲套与缓冲块配合，有效地缓冲、吸收外界的震动，支架顶部紧贴单晶炉主体外壁，增强了缓冲减震效果；清理组件，起到一个便捷的清理效果；工作人员维护单晶炉主体顶端设备时，启动电动伸缩杆使活动杆进行扩展将承载座升至单晶炉主
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220745303U
(45)授权公告日2024.04.09
(21)申请号202322378713.9B66F13/00(2006.01)
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