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本发明提供衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。具备：具有第1处理组件；第2处理组件；第1排气箱；第1供给箱；第2排气箱，其与第2处理组件背面相邻地配置，并收纳有对第2处理容器内进行排气的第2排气系统；第2供给箱，其在第2排气箱的与相邻于第2处理组件背面的一侧呈相反的一侧相邻地配置，并收纳有向第2处理容器内供给处理气体的第2供给系统，其中，第1排气箱配置在位于第1处理组件背面的与第2处理组件侧相反的一侧的外侧角部，第2排气箱配置在位于第2处理组件背面的与第1处理组件侧相反的一侧的外侧角部
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117855106A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202410181405.3
(22)申请日2016.06.30
(62)分案原申请数据
201680085181.X
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