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本发明提供了一种存储器结构及其制造方法，该存储器结构包含：衬底；设置于衬底中的隔离结构；字线沟槽设置于衬底中且具有底面；以及字线设置于字线沟槽中且该字线包含上栅极和下栅极，其中上栅极包含：上栅极介电层设置于字线沟槽中；上栅极衬层设置于上栅极介电层上；以及上栅极电极设置于上栅极衬层上且具有一顶面，且下栅极包含：下栅极介电层设置于字线沟槽中；下栅极衬层设置于下栅极介电层上；以及下栅极电极设置于下栅极衬层上。上栅极介电层的顶面与字线沟槽的底面之间的垂直距离不大于上栅极电极的顶面与字线沟槽的底面之间的垂
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111834363A
(43)申请公布日
2020.10.27
(21)申请号20191
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