一种半导体外延的实现方法及半导体器件.pdfVIP

一种半导体外延的实现方法及半导体器件.pdf

  1. 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
  2. 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  3. 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供一种图像传感器形成方法,包括:在栅极形成之前,通过刻蚀和外延工艺,在所述图像传感器的像素区域周围形成至少一层第一隔离层,通过在所述第一隔离层中填充介质并设置所述第一隔离层的形状,使光线从外部射向所述像素区域时在所述第一隔离层界面发生反射,减少光学透射,实现光学隔离。本发明通过设置像素区域周围隔离结构的形状,降低外围光信号和热信号对像素区域感光的影响,提高图像传感器的性能,同时还可以避免金属材料带来的应力影响。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117855226A

(43)申请公布日2024.04.09

(21)申请号202211208598.4

(22)申请日2022.09.30

(71)申请人格科微电子(上海)有限公司

地址

文档评论(0)

知识产权出版社 + 关注
官方认证
文档贡献者

知识产权出版社有限责任公司(原名专利文献出版社)成立于1980年8月,由国家知识产权局主管、主办。长期以来, 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作, 经过多年来的积累,已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

版权声明书
用户编号:5333241143000144
认证主体北京中献电子技术开发有限公司
IP属地四川
统一社会信用代码/组织机构代码
91110108102011667U

1亿VIP精品文档

相关文档