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本发明公开了一种磁控溅射平面靶绝缘结构，包括磁场模组、固定底板以及设于所述磁场模组和所述固定底板之间的绝缘板，所述磁场模组靠近所述绝缘板的一端内凹形成台阶，以减少所述绝缘板上金属原子的沉积，增加所述磁场模组与所述固定底板之间的导通长度。本发明通过在磁场模组外圈设有台阶，台阶对绝缘板起到遮蔽作用，台阶正下方的绝缘板的直角边不易粘上金属原子，可以减少绝缘板上的金属原子的沉积，台阶的设置也可以增加磁场模组与固定底板的导通长度，绝缘板直角边不易粘上金属原子，从而减小爬电机率，进一步增强绝缘作用。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117845178A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202410219036.2
(22)申请日2024.02.28
(71)申请人深圳市镭煜科技有限公司
地址5
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