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一种湿法刻硅制备微芯环腔的方法，步骤如下：取一片硅片，硅片表面为二氧化硅氧化层，使用光刻和氢氟酸刻蚀的方法，在硅片表面得到覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形；其次使用氢氟酸‑硝酸混合溶液作为刻蚀溶液对得到的覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形进行湿法刻蚀，得到微盘腔；最后将微盘腔表面光刻胶去除，并使用激光器对其进行热回流，完成微芯环腔的制备。本发明使用氢氟酸‑硝酸刻蚀替代了制备流程中的干法刻蚀，提高了各向同性，使得该刻蚀方法适用于超高品质微芯环腔的制备，在1550nm波段实现了108以上的品质因子，这与相
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113526458A
(43)申请公布日
2021.10.22
(21)申请号20201
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