1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种低ESL单层芯片电容器及其制备方法.pdfVIP

一种低ESL单层芯片电容器及其制备方法.pdf

    1. 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
    2. 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
    3. 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
    4. 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
    5. 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
    6. 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
    7. 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
    查看更多
    本发明涉及电容器技术领域，具体涉及一种低ESL单层芯片电容器及其制备方法，进行基片制备，选用基片为一二类瓷基片，在基片正反面均进行镀膜形成顶部电极和底部电极；在顶部电极上进行绝缘介质层镀膜，在绝缘介质层上下添加缓冲粘附层金属，由此通过降低芯片电容器的寄生电感而提高其谐振频率，使其具有更广泛的应用，特别是在高频电路中的应用，当电流由金丝键合点位流入顶部电极时，形成分流，在顶部电极上层和顶部电极下层会形成电流完全相反的电流，由电流变化引起的磁场变化可以在双层电极结构中互相抵消，降低电容器的等效电感，

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117854953A

    (43)申请公布日2024.04.09

    (21)申请号202410096365.2

    (22)申请日2024.01.23

    (71)申请人成都宏科电子科技有限公司

    地址

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    知识产权出版社 + 关注
    官方认证
    文档贡献者

    知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

    咨询Ta 进入空间
    版权声明书
    用户编号：5333241143000144
    认证主体北京中献电子技术开发有限公司
    IP属地四川
    统一社会信用代码/组织机构代码
    91110108102011667U

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >