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一种改善柔性人工反铁磁薄膜应力的结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2024-04-10 发布于四川
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一种改善柔性人工反铁磁薄膜应力的结构及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种改善柔性人工反铁磁薄膜应力的结构及其制备方法，涉及自旋电子与柔性集成技术领域。柔性人工反铁磁的结构由下向上分别为：聚酰亚胺柔性基底、楔形缓冲层、种子层、下磁性层、非磁性层、上磁性层和保护层。聚酰亚胺柔性基底的厚度为10～15μm。缓冲层采用斜靶溅射，形成楔形缓冲层；缓冲层为Ta，Ta厚度为5～10nm。种子层为Pt，Pt厚度为3～10nm。下磁性层和上磁性层为[Pt/Co]层，其中Pt厚度为2～4nm，Co厚度为0.6～1nm。非磁性层为Ir，Ir厚度为0.6～1.0nm。保护层

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117858613A

    (43)申请公布日2024.04.09

    (21)申请号202410051410.2

    (22)申请日2024.01.15

    (71)申请人甘肃省科学院传感技术研究所

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