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本实施方式提供一种能够将配线层恰当地连接于存储单元的半导体层的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备：第1衬底；及多个电极层，设置在所述第1衬底的上方，且积层在第1方向。所述装置还具备：第1半导体层，在所述多个电极层内沿所述第1方向延伸；及金属层，设置在所述多个电极层中的最上层的上方，且与所述第1方向交叉而延伸。所述装置还具备第2半导体层，设置在所述第1半导体层与所述金属层之间，将所述第1半导体层与所述金属层电连接，且包含杂质浓度比所述第1半导体层高的杂质扩散层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117858509A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202410041696.6
(22)申请日2019.07.23
(30)优先权数据
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