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薄膜晶体管和晶体管阵列基底.pdfVIP

薄膜晶体管和晶体管阵列基底.pdf

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    提供了一种薄膜晶体管和晶体管阵列基底。所述薄膜晶体管包括：有源层，包括沟道区、第一导电区和第二导电区；栅极绝缘层，在有源层的一部分上；第一通孔，穿透第一导电区的一部分；第二通孔，穿透第二导电区的一部分；栅电极，与有源层的沟道区叠置；第一电极，电连接到第一导电区；以及第二电极，电连接到第二导电区。第一电极的与第一通孔相邻的一侧与第一通孔的一侧平行，第一电极包括在其两端处的突起部和从栅电极凹地凹陷的凹槽部。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117855284A

    (43)申请公布日2024.04.09

    (21)申请号202311208685.4

    (22)申请日2023.09.19

    (30)优先权数据

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