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使用改善的蚀刻工艺的半导体结构的制备方法.pdfVIP

使用改善的蚀刻工艺的半导体结构的制备方法.pdf

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    本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括：形成一第一图案化层在一基底上；形成一第二图案化层在该基底上并与该第一图案化层交错设置；形成一图案化共形层在该第一图案化层与该第二图案化层之间，其中该第一图案化层、该图案化共形层以及该第二图案化层的各上表面大致呈共面；形成一第一凹陷以延伸进入该第一图案化层中并被该图案化共形层所围绕；移除该图案化共形层的多个垂直部；以及平坦化该第一图案化层与该第二图案化层的各该上表面。移除该图案化共形层的该等垂直部以及平坦化该第一图案化层与该第二图案化层的各该上表

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117855031A

    (43)申请公布日2024.04.09

    (21)申请号202410067392.7

    (22)申请日2023.07.25

    (30)优先权数据

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    知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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