《钙钛矿电池用镀膜设备技术规范》征求意见稿.docx

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钙钛矿电池用镀膜设备技术规范

1范围

本文件规定了钙钛矿电池用镀膜设备的通用要求、工艺要求、设备描述、标志、包装、运输、贮存、安装和交付技术标准等。

本文件适用于钙钛矿电池的镀膜设备。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB191包装储运图示标志

GB1958形状和位置公差检测规定

GB/T3163真空技术术语

GB/T5226.1机械电气安全机械电气设备第1部分：通用技术条件

GB/T11164真空镀膜设备通用技术条件

GB/T13306标牌

GB/T13384机电产品包装通用技术条件

GB/T15945电能质量电力系统频率偏差

GB/T18209.1机械电气安全指示、标志和操作第1部分：关于视觉、听觉和触觉信号的要求GB/T19001质量管理体系要求

GB/T23001信息化和工业化融合管理体系

SJ37电子工业专用生产设备型号命名方法

SJ142电子工业专用设备总技术要求

JB/T6922真空蒸发镀膜设备

JB/T7673真空技术真空设备型号编制方法

JB/T8945真空溅射镀膜设备

JB/T8946真空离子镀膜设备

SJ21256溅射镀膜设备工艺验证方法

JJF(电子)0013电力电子器件参数测试设备校准规范

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1光伏电池镀膜生产线PhotovoltaicCellCoatingLine

针对太阳能电池工艺的PVD(物理气相沉积)连续镀膜生产线。

3.2钙钛矿太阳能电池Perovskitesolarcells

利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池。

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4通用要求

4.1技术原则

钙钛矿电池用镀膜设备包括针对异质结(HJT)工艺而开发的透明导电膜PVD(物理气相沉积)镀膜生产线、钙钛矿太阳能电池镀制电极层等的PVD针对代替银电极的镀铜生产线。

4.2基本要求

4.2.1设备应遵循以下基本原则：

a)在满足需求的前提下，控制良品率；

b)设备不得处于高负荷状态；

c)系统应配置于密闭空间使用；

d)满足远程监测和控制等设备必要运行参数提示及控制需要；

e)具有安全系统，且在出现异常、故障或者失灵时，能自动触发应急和报警；

f)可连续24小时高温作业，适应普通工业环境和实验室环境；

g)满足其他生产需要。

4.2.2设备涉及真空溅射镀膜工艺要求的，应当符合JB/T8945、SJ21256的规定。

4.2.3设备涉及其他真空镀膜工艺要求的，应当符合GB/T11164、JB/T8946、JB/T6922的规定。

4.2.4设备的设计、制造、安装、和生产单位应建立健全的质量管理体系并有效运行，生产活动应当符合GB/T19001的规定。

4.3测试方法

本标准规定的设备应按照GB/T11164、JB/T6922相关部分所给出的详细测试方法使用。

4.4校准

校准应使用可追溯到现行有效或参考的国家标准或基准。

5工艺要求

钙钛矿电池用镀膜设备采用磁控溅射镀膜工艺，能够满足异质结(HJT)太阳能电池片双面TCO膜层镀膜、实现钙钛矿薄膜太阳能电池电极层、传输层等制备或者其它薄膜太阳能电池(如碲化镉、铜铟镓硒CIGS)的电极层、吸收层等的制备。

5.1应用范围

钙钛矿电池用镀膜设备应满足异质结太阳能电池、薄膜太阳能电池、叠层太阳能电池、光伏电池铜代银制程等产品的镀膜应用。

5.2处理基材

钙钛矿电池用镀膜设备应满足处理的基材包括硅基太阳能电池片，薄膜太阳能电池的电极层、传输层或吸收层。

5.3镀制工艺

钙钛矿电池用镀膜设备能够满足包括ITO、NiO、Cu0;Al、Ag、Mo、AZO、Cu、In、Ga等相关镀制工艺。

6设备描述

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6.1功能说明

真空溅射镀膜是在真空中利用荷能离子轰击靶表面，使被轰击出的靶材粒子在基片上沉积成膜的技术。给靶材施加高电压(形成等离子状态),使正荷电气体离子撞击靶材、金属原子飞弹，而在样品表面形成金属皮膜的方法。电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片，氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉