材料的介电性能(1).pptVIP

第3章材料的介电性能;3.1电介质及其极化;材料;3）电介质的极化：

介电材料：放在平板电容器中增加电容的材料

电介质：在电场作用下能建立极化的物质。

在真空平板电容器中，嵌入一块电介质。加入外电场时，在正极附近的介质表面感应出负电荷，负极板附件的介质表面感应出正电荷，这些电荷称为感应电荷，又称束缚电荷。

极化：电介质在电场作用产生束缚电荷的现象。

例：一个简单的平行板电容器，3kV时存10-4C的电荷，电介质厚0.02cm,计算使用面积。（分真空，BaTiO3，云母三种情况，介电常数分别为1、3000和7）;

3.1.3极化相关的物理量

1）电偶极矩：带有等量异号电荷并且相距一段距离的荷电质点，形成电偶极矩

对于极性分子电介质，由于分子的正负电荷中心不重合，存在电偶极矩；对于非极性分子电解质，由于外界作用，正负电荷中心瞬时分离，也产生电偶极距。

;2）极化电荷：和外电场相垂直的电介质表面分别出现的正负电荷，不能自由移动，也不能离开，总保持电中性。

极化强度P：电介质极化程度的量度，单位体积内的电偶极矩，数值上等于分子表面电荷密度σ；;可以证明：

所以有：

令电位移D为：

代入得：

在各向同性的电介质中，电位移等于场强的ε倍。

;3.1.4电介质极化的机制：

电子极化，离子极化，电偶极子取向，空间电荷极化，分别对应电子、原子、分子和空间电荷情况。

位移极化，由电子或离子位移产生电偶极距而产生的极化。分为电子位移极化和离子位移极化。

1）电子位移极化：材料在外电场的作用下，原子中的

电子云将偏离带正电的原子核这个中心，原子就成为一个

暂时的感应的偶极子。

这种极化可以在光频下进行，10-14-10-10S

可逆

与温度无关

产生于所有材料中

电子极化率的大小与原子(离子)的半径有关;例：500V的电场作用下，Ni原子的电子云从原子核的电荷中心偏离10-9nm,Ni为FCC结构，晶格常数为0.351nm,设金属中所有电子对电子极化均有贡献，计算极化强度（Ni的原子序数为28）。;2）离子位移极化：

极化晶体中负离子和正离子相对于它们的正常位置发生位移，

形成一个感生偶极矩。

可逆;

反应时间为10-13-10-12S

温度升高，极化增强

产生于离子结构电介质中

离子位移极化率：

式中：a为晶格常数；n为电子层斥力指数，

对于离子晶体n为7-11

;驰豫极化：外加电场作用于弱束缚荷电粒子造成，与带电质点的热运动密切相关。热运动使这些质点分布混乱，而电场使它们有序分布，平衡时建立了极化状态。为非可逆过程。

3）电子驰豫极化：由于晶格的热运动，晶格缺陷，杂质引入，化学成分局部改变等因素，使电子能态发生改变，导致位于禁带中的局部能级中出现弱束缚电子，在热运动和电场作用下建立相应的极化状态。

不可逆；反应时间为10-2－10-9S；产生于Nb,bi,Ti为基的氧化物陶瓷中，随温度升高变化有极大值。

4）离子驰豫极化：

弱联系离子：在玻璃状态的物质、结构松散的离子晶体、晶体中的杂质或缺陷区域，离子自身能量较高，易于活化迁移，这些离子称为弱联系离子。由弱联系离子在电场和热作用下建立的极化为离子弛豫极化。

不可逆；反应时间为10-2－10-5S；随温度变化有极大值。;5)取向极化：沿外场方向的偶极子数大于和外场反向的偶极子数，因此电介质整体出现宏观偶极矩。这种极化与永久偶极子的排列取向有关，又称分子极化（或偶极子极化）。

热运动：无序

电场：有序

为无外电场时的均方偶极矩。

（1）在包括硅酸盐在内的离子键化合物与极性聚合物中是普遍存在的；

（2）响应时间10-2~10-10S

（3）这种极化在去掉电场后能保存下来，因而涉及的偶极子是永久性的。

（4）随温度变化有极大值

;实际中需要一种驻电体。试从(C2H4)n,(C2H2F2)n,(C2F4)n中选用。;3.1电介质及其极化;小结：

（1）总的极化强度是上述各种机制作用的总和。

（2）材料的组织结构影响极