原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种外延衬底再生方法、系统及外延衬底，包括：对原始晶圆衬底的外延层进行气体刻蚀，获得第一晶圆衬底；对所述第一晶圆衬底进行研磨，去除所述第一晶圆衬底的残余外延层，以获得第二晶圆衬底。本发明仅采用两个步骤，先对外延晶圆进行气体刻蚀，刻蚀气体与外延晶圆的金属发生反应，将气体刻蚀反应生成物随气流被带离出反应腔，在刻蚀气体的刻蚀下外延晶圆表面氧化成氧化金属薄膜，进一步对气体刻蚀后的外延晶圆进行机械抛光，去除残余并修复晶圆衬底表面损伤。本发明步骤工序简单，避免了工序复杂带来的时间成本，且气体刻蚀
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117855030A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202410075516.6
(22)申请日2024.01.18
(71)申请人星钥（珠海）半导体有限公司
地址
文档评论（0）