半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第1章习题解.docVIP

半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第1章习题解

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半导体物理学

第一章习题

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TOC\o1-3\h\z1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： 2

2.晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 4

1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为：

（1）禁带宽度;

（2）导带底电子有效质量;

（3）价带顶电子有效质量;

（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化

解：

（1）

补充题1

分别计算Si（100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图）

Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示：

（a）(100)晶面（b）(110)晶面

（c）(111)晶面

补充题2

一维晶体的电子能带可写为，

式中a为晶格常数，试求

（1）布里渊区边界；

（2）能带宽度；

（3）电子在波矢k状态时的速度；

（4）能带底部电子的有效质量；

（5）能带顶部空穴的有效质量

解：（1）由得

（n=0，?1，?2…）

进一步分析，E（k）有极大值，

时，E（k）有极小值

所以布里渊区边界为

(2)能带宽度为

(3）电子在波矢k状态的速度

（4）电子的有效质量

能带底部所以

(5)能带顶部，

且，

所以能带顶部空穴的有效质量