半导体芯片制造工考试试题.docVIP

半导体芯片制造工考试试题

半导体芯片制造高级工考试试题

一、填空题

1.禁带宽度的大小决定着（电子从价带跳到导带）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。

2.硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用(硫酸)系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。

3.铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（氧化物），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。

4.在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（组装）。

5.钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（导电胶粘接）、(银浆烧结)等。

6.金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般(大于)同类电极系统的楔刀焊接。

7.芯片焊接质量通常进行镜检和(剪切强度)两项试验。

8.如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合(不合格)。

9.钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内(湿度)控制。

10外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而(可靠性)设计也包含在这三部分中间。

11.厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，(氧化铍陶瓷)，氮化铝(A1N)陶瓷。

12.微波混合集成电路是指工作频率从300MHz～100kMHz的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和(集总参数)微波混合集成电路两类。

13.外延层的迁移率低的因素有原材料纯度

结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为（元素）半导体、（化合物）半导体、固溶半导体三大类。

延生长方法比较多，其中主要的有（化学气相）外延、（液相）外延、金属有机化学气相外延、（分子束）外延、原子束外延、固相外延等。

气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（完整）性、（成品）率，并影响其电学性能和（可靠性）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。

二、判断题

1．双极晶体管中只有一种载流子(电子或空穴)传输电流。(F)

2．逻辑电路只能处理“非O即1“这两个值。(T)

3．晶体的特点是在各个晶向上的物理性能、机械性能、化学性能相同。(F)

4．门阵列的基本结构形式有两种：一种是晶体管阵列，一种是门阵列。(T)

5．晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。(F)。

6．目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处理包装后销售，一般不能再退火，一经退火反而坏了性能。(T)

7．退火处理能使金丝和硅铝丝的抗断强度下降。(T)

8．设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度的50％。(F)

9．钯．银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。(T)

10．厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复杂，比表面积就越大，则表面自由能也就越高，对烧结越有利。(T)

11．厚膜浆料属于牛顿流体，因此其粘度属于正常黏度。(F)

12．厚膜浆料存在触变性，流体受到外力作用时黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢复原状。(T)

13．丝网印刷膜的厚度不随着刮板移动速度的增加而减小。(F)

14．在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。(F)

15．可靠性筛选可以剔除早期失效的产品。(T)

16．硅MOSFET和硅JFET结构相同。(F)

17．场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。(T)

18片状源扩散具有设备简单，操作方便，晶片缺陷少，均匀性、重复性和表面质量都较好，适于批量生产，应用越来越普遍。(T)

19.值称为共发射极电流放大系数，是晶体管的一个重要参数，也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。(T)

20低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但膜不够致密，耐潮性和抗离子沾污能力较差。(T)

三、选择题

1．禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子()外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。

A．越不容易受B．越容易受C