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本发明属于碳复合材料技术领域，具体涉及一种覆有SiC涂层的石墨坩埚及其制备方法和应用。本发明对石墨坩埚的内表面依次进行等离子清洗和磁控溅射沉积Si，得到内覆Si打底层的石墨坩埚；在所述Si打底层表面进行化学气相沉积SiC，得到覆有SiC涂层的石墨坩埚。等离子清洗能活化石墨坩埚表面能，提高后续石墨坩埚与Si打底层和SiC层的结合力，磁控溅射沉积Si在石墨坩埚内表面形成Si打底层也可以提高SiC层与石墨坩埚之间的结合力，使得本发明制备的覆有SiC涂层的石墨坩埚结合力强、具有高温稳定性和高致密度，可防
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117845216A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202410039093.2C23C16/32(2006.01)
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