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本申请公开了一种负反馈镇流晶体管及其制造方法，涉及半导体器件制造领域，该结构包括衬底，衬底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；设置于第一表面上的外延层，外延层设有若干个沟槽；设置于沟槽内的多晶硅，多晶硅包括设于沟槽底部第一多晶硅层和设于第一多晶硅层上的第二多晶硅层；源极层，源极层与沟槽交替设置；镇流电阻层，设置于源极层和第二多晶硅层上，镇流电阻层用于实现负反馈电路连接；设置于镇流电阻层上的表面金属层；设置于第二表面上的背面金属层。本申请具有保持电流平衡不出现局部热点，进而提升器件的短路耐量能
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117878157A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202410263359.1
(22)申请日2024.03.07
(71)申请人湖北九峰山实验室
地址4300
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