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本发明涉及一种钝化接触结构的制备方法、太阳能电池。上述太阳能电池包括衬底,衬底的第一侧设置有填充槽,填充槽的内壁上设置有隧穿层,填充槽内还设置有位于隧穿层上的掺杂多晶硅层;以及第一电极,第一电极位于第一侧并与填充槽位置对应。该结构设计使得在衬底的第一侧上沉积隧穿层和掺杂多晶硅层时,能够在填充槽的内壁形成多维度的材料堆积,有利于在填充槽所在区域内形成比填充槽所在区域之外更厚的掺杂多晶硅层,也即有利于在第一电极对应位置形成厚度更大的掺杂多晶硅层,提高电极区域的钝化效果,且防止掺杂多晶硅层在电极金属化
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117878166A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202410067595.6
(22)申请日2024.01.17
(71)申请人润马光能科技(金华)有限公司
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