钝化接触结构的制备方法、太阳能电池.pdfVIP

钝化接触结构的制备方法、太阳能电池.pdf

  1. 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
  2. 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  3. 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及一种钝化接触结构的制备方法、太阳能电池。上述太阳能电池包括衬底,衬底的第一侧设置有填充槽,填充槽的内壁上设置有隧穿层,填充槽内还设置有位于隧穿层上的掺杂多晶硅层;以及第一电极,第一电极位于第一侧并与填充槽位置对应。该结构设计使得在衬底的第一侧上沉积隧穿层和掺杂多晶硅层时,能够在填充槽的内壁形成多维度的材料堆积,有利于在填充槽所在区域内形成比填充槽所在区域之外更厚的掺杂多晶硅层,也即有利于在第一电极对应位置形成厚度更大的掺杂多晶硅层,提高电极区域的钝化效果,且防止掺杂多晶硅层在电极金属化

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117878166A

(43)申请公布日2024.04.12

(21)申请号202410067595.6

(22)申请日2024.01.17

(71)申请人润马光能科技(金华)有限公司

地址

文档评论(0)

知识产权出版社 + 关注
官方认证
文档贡献者

知识产权出版社有限责任公司(原名专利文献出版社)成立于1980年8月,由国家知识产权局主管、主办。长期以来, 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作, 经过多年来的积累,已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

版权声明书
用户编号:5333241143000144
认证主体北京中献电子技术开发有限公司
IP属地四川
统一社会信用代码/组织机构代码
91110108102011667U

1亿VIP精品文档

相关文档