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自适应短路保护的晶体管结构和制造方法和晶体管结构.pdfVIP

自适应短路保护的晶体管结构和制造方法和晶体管结构.pdf

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    本发明涉及一种自适应短路保护的晶体管结构的制作方法和晶体管结构，包括：提供漏极衬底，其中漏极衬底具有器件区和接触区，器件区中形成有隔离栅沟槽；形成隔离栅电极在隔离栅沟槽的底部，构成隔离栅电极的电极层在接触区的部分能构成温度检测二极管的主体层；形成漏极衬底的有源层，其中形成有源层的元素在接触区的部分能构成主体层的第一电极；形成漏极衬底的源极领域层在有源层上，形成源极领域层的元素在接触区的部分能构成主体层的第二电极；形成源极金属层在漏极衬底上，所形成的源极金属层在接触区的部分被图案化构成连接相邻温度

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117878059A

    (43)申请公布日2024.04.12

    (21)申请号202311755990.5

    (22)申请日2023.12.19

    (30)优先权数据

    63/433,6552022

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