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本发明公开了一种光伏太阳能N型氧化物半导体ITO化学镀铜制作工艺,包括以下步骤:采用阳离子型调整剂对ITO薄膜进行表面调整处理,随后将其放置于氯化钠和盐酸的混合溶液中进行预浸处理,接着放置于胶体钯溶液中进行活化处理,再将ITO薄膜置于化学镀液中进行化学镀铜处理,水洗烘干后,在ITO薄膜表面上贴干膜,并通过LDI曝光机对干膜进行曝光显影后,得到线路图案,再对其电镀铜处理以加厚铜层;蚀刻处理,以去除电镀铜层之外的部分铜,形成所需的线路图案;本发明采用化学镀铜工艺在ITO薄膜上形成铜镀层,相比于传统的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117878197A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202311670532.1
(22)申请日2023.12.06
(71)申请人弘凯光电(江苏)有限公司
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