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2024-04-13 发布于四川
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一种双面散热结构的IGBT器件.pdf

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本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种双面散热结构的IGBT器件，包括芯片，芯片上端设置有上铜片，芯片下端设置有下铜片，下铜片下端设置有下导热板，下导热板下端设置有下基板，下导热板用于对芯片工作时产生的热量进行传导；其中上铜片上端设置有上导热板，上导热板上端设置有上基板，通过在上导热板与芯片之间灌胶，从而保证了IGBT器件内部的电气绝缘，防止电流泄露和电气击穿，进一步减少了电感影响，通过在芯片上端设置上导热板，从而增加了芯片的散热路径，使上导热板与下导热板同时对芯片高功耗工作时产生的热量进行传导

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117878073A

(43)申请公布日2024.04.12

(21)申请号202311838616.1

(22)申请日2023.12.28

(71)申请人武汉锐晶激光芯片技术有限公司

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