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2024-04-13 发布于四川
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一种双向TVS器件的Trench填充制造工艺.pdf

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本发明涉及双向TVS器件技术领域，特别涉及一种双向TVS器件的Trench填充制造工艺。包括如下步骤：步骤一：提供高掺杂浓度的N型衬底以及在N型衬底上生长的P‑外延层；步骤二：在P‑外延层上AS离子注入，形成表面的N型离子注入区；步骤三：在N型离子注入区上进行硅Trench沟槽光刻和腐蚀，并延伸至N型衬底上，其Trench沟槽宽度为1μm，深度为10‑24μm；步骤四：在N型离子注入区表面和Trench沟槽侧壁上生长一层场氧化层FOX；步骤五：对Trench沟槽内继续进行多晶填充，直至将Tren

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117878054A

(43)申请公布日2024.04.12

(21)申请号202311269000.7

(22)申请日2023.09.27

(30)优先权数据

10-2022-0130509

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