原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种芯片铜柱的电镀方法及铜柱凸块的制作方法，包括如下步骤：a、在电流密度J0为1~3A/dm2的条件下，形成第一高度的铜柱；b、以设定的加速度a1将电流密度J0提高至预设的电流密度J1，在第一高度的铜柱顶部形成第二高度的铜柱；c、保持电流密度J1不变，在第二高度的铜柱顶部形成第三高度的铜柱。本发明在电镀初期，采用较低电流密度，保证铜柱在初期平稳地形成；在电镀中期，采用连续型增大的电流密度，提高中期生产效率，同时降低突变界面处的应力集中，提高封装可靠性；在电镀
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117867614A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202410272615.3C25D21/12(2006.01)
文档评论（0）