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本发明涉及一种基于Au等离子机元增强的叠层量子点发光二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：制备金纳米颗粒；步骤S2：利用金纳米颗粒对空穴传输层材料进行掺杂；步骤S3：采用旋涂成膜工艺和蒸发镀膜技术制备叠层结构Au等离子机元增强的量子点发光二极管。本发明通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子机元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，使叠
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111952469A
(43)申请公布日2020.11.17
(21)申请号202010828284.9
(22)申请日2020.08.18
(71)申请人福州
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