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一种晶棒回熔控制方法，步骤包括：控制待回熔的晶棒悬吊于预设的初始位置处；对晶棒下端的晶段进行预加热并加热至目标温度；获取预加热晶段外壁面的直径尺寸和表面温度；基于获取的壁面直径和表面温度，判断是否符合熔融条件；若是，控制预加热晶段浸入熔硅中进行熔融；重复上述步骤，直至回熔结束。本申请提出的晶棒回熔控制方法，可分阶段地对晶棒进行先预加热再熔融，以加速晶棒熔融效率，可防止熔融不当时出现结晶、沸腾、溅硅或漏硅；全程自动监控并可自动判断是否继续进行预加热或熔融，回熔连贯性好且安全可控，回熔质量好且效率高
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117867642A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202410082465.XC30B15/14(2006.01)
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