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一种芯片内温传感器、氮化硅芯片和电子设备.pdf

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    本申请实施例提供一种芯片内温传感器、氮化硅芯片和电子设备，传感器集成于氮化硅芯片内，包括：输入部，与产生第一光束的外部激光器连接，用于输入第一光束并进行分束，以输出第二、第三光束；第一传导臂，与输入部连接；第一传导臂包括第一直波导，用于输入第二光束，以输出参考光束；第二传导臂，与输入部连接；第二传导臂包括第二直波导，与第一直波导等长且宽度不同；第二直波导用于输入第三光束，以输出感温的检测光束；输出部，分别与第一、第二传导臂和外部接收器连接，用于将参考光束和检测光束合束输出至外部接收器，以得到芯片

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117870894A

    (43)申请公布日2024.04.12

    (21)申请号202410132275.4

    (22)申请日2024.01.31

    (71)申请人北京航空航天大学

    地址1000

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