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实施方式提供一种能够抑制写入动作的性能劣化且执行插入动作的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具备：存储单元，连接于字线；以及控制电路，构成为执行反复进行编程循环的写入动作，所述编程循环包括将编程电压施加于字线的编程动作、及接在编程动作之后继续进行的验证动作。控制电路构成为，在写入动作中，每反复进行一次编程循环，便使编程电压上升第1量，在使写入动作中断的情况下，在重新开始写入动作后第n次(n为1以上的整数)为止的编程动作中，将第1量变更为第2量，所述第2量是小于第1量的正数。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113555052A
(43)申请公布日2021.10.26
(21)申请号202110047552.8
(22)申请日2021.01.14
(30)优先权数据
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