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一种半导体芯片静电释放结构及半导体封装结构.pdfVIP

一种半导体芯片静电释放结构及半导体封装结构.pdf

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    本发明提供了一种芯片静电释放结构及半导体封装结构，将可控静电释放单元通过打线外接至半导体封装结构的静电释放构造上，通过静电释放构造来提高半导体芯片的静电释放能力，同时利用打线以及半导体封装结构的静电释放构造的小电阻特性来减小静电释放通路的阻抗，进一步提高半导体芯片的静电释放能力。因此，在提高半导体芯片的静电释放能力的基础上，可以灵活设计可控静电释放单元的版图面积，使得半导体芯片的版图面积仅仅受限于核心功能部件的版图面积，达到灵活设计半导体芯片的目的，有利于半导体芯片的小型化。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117878101A

    (43)申请公布日2024.04.12

    (21)申请号202311312587.5G11C11/22(2006.01)

    (22)申请日2023.10.

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