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本发明提供了一种随机结构金属网栅电磁屏蔽薄膜的制备方法，包括如下步骤：S1.对基底表面进行清洗；S2.在基底表面先后形成负性光刻胶层和正性光刻胶层；S3.使用真空接触式掩膜曝光技术，曝光随机结构金属网栅图案并显影，使正性光刻胶层和负性光刻胶层上分别形成上下连通的纵截面为倒梯形的第一显影窗口和纵截面为矩形的第二显影窗口，第二显影窗口的宽度大于第一显影窗口底面的宽度，使第一显影窗口和第二显影窗口的纵截面呈倒“T”型；S4.在显影后的基底表面镀制金属薄膜，并剥离，得到随机结构金属网栅电磁屏蔽薄膜。该制
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117872678A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202311808413.8
(22)申请日2023.12.26
(71)申请人东营职业学院
地址257000
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