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一种DCSCR器件的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，通过第一阱位于衬底上表面；第一阱为闭合的方环；第二阱、第三阱和第四阱设置于第一阱中且从第一侧至第二侧依次设置；第四阱为闭合的方环；深阱的上表面的边缘与第四阱的底部接触；第五阱位于深阱上表面且设置于第四阱中；第一有源区和第二有源区设置于第一阱中；第三有源区和第四有源区位于第二阱中且从外至内依次设置；第三有源区为闭合的方环状；第五有源区和第六有源区设置于第四阱中；第七有源区和第八有源区设置于第五阱中；从而形成3个ESD泄放路径，增大触
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117878116A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202410276183.3
(22)申请日2024.03.12
(71)申请人深圳市威兆半导体股份有限公司
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