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本发明公开了一种HWCVD镀膜设备及镀膜工艺，HWCVD镀膜设备包括镀膜室、载板及驱动模块，镀膜腔内设有沿第一方向间隔排布的多排丝行，平行于丝行延伸方向向镀膜腔通入工艺气体，载板用于承载待镀基底，驱动模块用于驱动载板沿第二方向移动，第二方向与所述丝行的延伸方向互成a角，镀膜工艺采用HWCVD镀膜设备执行。在镀膜过程中，待镀基底跟随载板同步移动，待镀基底上的某个待镀位置能够移动至热丝周围的不同热辐射区域，不同区域的活性粒子向待镀基底的沉积在载板移动过程中得到均化，热丝周围催化裂解形成的活性粒子受到
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117867470A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202311652733.9C23C16/52(2006.01)
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