有色GB_国家标准-太阳能级多晶硅-讨论稿.docVIP

GB/T25074—XXXX

PAGE6

ICS?29.045

CCSH82

中华人民共和国国家标准

GB/T25074—FORMTEXTXXXX

代替GB/T25074-2017

FORMTEXT太阳能级多晶硅

FORMTEXTSolar-gradepolycrystallinesilicon

（讨论稿）

FORMTEXT?????

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX实施

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX实施

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX发布

GB/T25074—XXXX

PAGEI

前??言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本文件代替GB/T25074—2017《太阳能级多晶硅》。与GB/T25074—2017相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：

修改了规范性引用文件（见第2章，2017版的第2章，2010版的第2章）；

更改了不同等级太阳能级多晶硅的技术指标（见第5章，2017版的第5章，2010版的第4章）；

增加了直径偏差的要求（见5.2.2，2017版的5.1，2010版的4.2.3）；

更改了试验方法的内容（见第6章，2017版的第6章，2010版的第5章）；

修改了组批的规定（见7.2，2017版的7.2，2010版的6.2）；

更改了检验项目的要求（见7.3，2017版的7.3，2010版的6.3）；

更改了检验结果判定的要求（见7.5，2017版的7.5，2010版的6.5）；

删除了附录A太阳能级多晶硅参考技术指标导电类型和电阻率的要求。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）提出并归口。

本文件起草单位：洛阳中硅高科技有限公司、……

本文件主要起草人：……

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为：

——2010年首次发布为GB/T25074-2010、2017年第一次修订；

——本次为第二次修订。

太阳能级多晶硅

范围

本文件规定了太阳能级多晶硅的术语和定义、牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书等。

本文件适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的棒状多晶硅或经破碎形成的块状多晶硅。

规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1551硅单晶电阻率测定方法

GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

GB/T4059硅多晶气氛区熔基磷检验方法

GB/T4060硅多晶真空区熔基硼检验方法

GB/T4061硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T14844半导体材料牌号表示方法

GB/T24574硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法

GB/T24581低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法

GB/T24582酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质

GB/T29057用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

GB/T29849光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法

GB/T31854光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法

GB/T35306硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法

GB/T37049电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法

术语和定义

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

牌号及分类

牌号

太阳能级多晶硅产品牌号参照GB/T14844的规定表示。

分类

太阳能级多晶硅根据外形分为块状和棒状，根据导电类型分为n型和p型，按技术指标的差别分为4级。

技术要求

技术指标

太阳能级多晶硅的等级及对应技术指标应符合表1的规定。

太阳能级多晶硅技术指标

项目

技术指标

特级品