有色GB_国家标准-碳化硅单晶片微管密度测试方法-编制说明（讨论稿）.docVIP

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国家标准

碳化硅单晶片微管密度测试方法

编制说明

（讨论稿）

中国电子科技集团公司第四十六研究所

二〇二三年十月

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国家标准《碳化硅单晶片微管密度测试方法》

编制说明（讨论稿）

一、工作简况

1.立项目的和意义

碳化硅作为典型的第三代宽禁带半导体材料，具备热导率高、临界击穿场强高、高温、高频及低功耗的应用特点，广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域，在电力电子设备中实现对电能的高效管理。《战略性新兴产业分类（2018）》中3.4.3.1半导体晶体制造-3985*-电子专用材料制造（碳化硅单晶和单晶片）；《新材料标准领航行动计划（2018-2020年）》中二、主要行动-（二）4先进半导体材料明确提及建立碳化硅标准；《新材料产业发展指南》中三、发展方向（二）中明确提及宽禁带半导体材料；《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）》中关键战略材料-三、第284项对应碳化硅外延片。

根据Yole预测，碳化硅器件市场将从2019年5亿美元增至2025年25亿美元，其中新能源汽车作为主驱动力，从2019年2.25亿增至2025年15亿美元。同时由于贸易壁垒，限制了半绝缘碳化硅衬底材料向中国出口，也使得国家政策向碳化硅材料产业化方向倾斜，国内企业在碳化硅材料研究方面加大投入，全球碳化硅晶片市场中，中国企业发展较快，2020年半绝缘碳化硅衬底市场占有率达到30%。但是国内企业技术参差不齐，先进6英寸及以上量产比例低。

微管密度是碳化硅晶片中最重要的晶体缺陷之一，直接决定外延层的结晶质量，器件区微管的存在会导致漏电流过大甚至器件击穿，导致器件故障。因此控制微管密度是各衬底生产企业的关键指标，这就要求有简便准确的表征微管密度的方法。

针对微管密度的测试，已发布GB/T31351-2014《碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法》和GB/T30868-2014《碳化硅单晶片微管密度的测定化学腐蚀法》两种测试方法，这两个测试标准制定年代均为2014年，基于当时碳化硅材料的研制水平，只规定了4寸以下产品的测试方法，本次将测试方法的适用性拓展到8寸，同时微管密度的测试有很多细节需要特别注意，因此需要增加干扰因素。

本标准旨在整合修订碳化硅单晶片微管密度检测方法标准，规范碳化硅单晶片微管密度测试方法，为科研、生产、使用提供统一的技术和质量依据及必要的保障，提高碳化硅单晶片微管密度检测效率，进而产品的生产效率和可靠性。这对于碳化硅抛光片的研发、生产和应用过程中产品质量的统一控制有重要的意义。

3.主要工作过程

3.1起草阶段

国家标准《碳化硅单晶片微管密度测试方法》正式立项后，标准牵头单位中国电子科技集团有限公司第四十六研究所组织成立了标准起草工作组，讨论并形成了制定工作计划及任务分工，工作组根据标准制定的原则，开展了相关国内外资料、标准的研究讨论工作。同时组织相关技术人员进行了测定分析方法的实验工作，最终按照方法标准的编制原则、框架要求和国家的法律法规，编制完成国家标准《碳化硅单晶片微管密度测试方法》的讨论稿，并提交至全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会秘书处。

4.标准承研单位概况及起草人所做的工作

牵头单位中国电子科技集团公司第四十六研究所是中国主要的半导体材料研发生产单位，经过几十年的发展，研究方向几乎涵盖全部半导体材料，包括硅、锗、碳化硅、氮化镓等，建立了多条主流半导体材料生产线，其中包括硅单晶片、锗单晶片、GaAs单晶片等。中国电子科技集团公司第四十六研究所质检中心始建于1988年，现有工作人员38人，本科以上学历人员占90%以上，获得计量认证证书、国家实验室资质授权证书、实验室认可证书。质检中心长期从事电子材料的物理性能、化学成分、结构与表面特性的测试工作。在不断强化技术实力和科研工作的基础上，质检中心也十分重视标准化研究以及国家、行业标准的制修订工作，积极承担标准化项目。质检中心拥有完整的半导体材料测量设备和仪器，多年来，凭借自身的技术优势，为国内外客户提供了大量的检测服务。同时拥有一批高素质的科研、生产和管理专业人才，曾制（修）订了多项硅单晶材料测试标准，填补了多项国内相关测试标准空白，有丰富的制（修）订标准的经验。

本文件的主要起草单位为中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司等，其中中国电子科技集团公司第四十六研究所为牵头单位，组织了标准起草和试验工作，有色金属技术经济研究院有限责任公司对标准各环节的稿件进行了审查修改，确保标准符合GB/T1.1的要求。

本标准的主要起草人及工作职责见表1。

序号

起草人

工作职责

姚康、何烜坤、刘立娜

全面负责标准的工作指导，标准审核，标准框架的制定、标准的起草、试验方案的