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非线性元件伏安特性曲线

硅稳压二级管反向伏安特性测量

问题的提出，猜想假设

硅二极管应用股广泛，我们在以前的实验中也有接触过二极管，那么对于硅二极管的反向伏安特性，我们却一点不知道。通过本实验，我们将自主设计一系列方案来对其进行深入探讨。就此，我们小组就提出了如下问题：怎样测量稳压二极管的反向伏安特性？测量电路如何设计？稳压二极管的反向伏安特性曲线怎样？

根据对硅稳压二极管的认识，我们提出了大胆的猜想:硅稳压二极管的反向电阻很大，但在电压达到某个值处将被击穿，产生雪崩效应，使得电流随电压变化急剧明显。

设计实验方案

2.1选择实验器材

数字万用表2个，2CW56型稳压二极管1个，直流恒压源恒流源1台，导线若干。

2.2原理分析

由于稳压二极管的本身特性，测量电压处于7.90?8.01V之间时，将产生雪崩效应，即其反向电阻变得很小，电压表相对于稳压二极管而言，分流很小，可以忽略。用电流表外接法，可减小实验误差。电路如图1所示。

图1

2.3拟定实验步骤

（1） 连接如图1所示电路。

（2） 在断路的条件下，将电流表和电压表分别打到200mA档和20V档。

（3） 将恒压电源用粗调旋钮从0V开始逐渐调大，测量并记录稳压二极管的反向电流和电压。

（4） 当电压达到7.90V时，改用微调，直至电压达到8.10V为止，其间应注意电流不能超过20.0mA。

2.4数据处理方法