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SemiconductorPhysics
2024-4-16
1
第七章微结构和超晶格
§1微结构
§2半导体超晶格
§3碳纳米管
SemiconductorPhysics
2024-4-16
2
§1微结构
尺寸量子化
量子阱
微结构
外延生长法
SemiconductorPhysics
2024-4-16
3
量子阱
无限方形势阱
有限方形势阱
三角势阱
抛物型势阱
二维电子气
低维电子气（量子线、量子点）
SemiconductorPhysics
2024-4-16
4
微结构的生长和形成
分子束外延法
化学气相淀积法
SemiconductorPhysics
2024-4-16
5
SemiconductorPhysics
2024-4-16
6
SemiconductorPhysics
2024-4-16
7
§2半导体超晶格
超晶格的概念
组分超晶格
掺杂超晶格
量子线超晶格
量子点超晶格
SemiconductorPhysics
2024-4-16
8
超晶格的能带
E~k关系
态密度
SemiconductorPhysics
2024-4-16
9
§3碳纳米管
能带结构
碳纳米管的特性
碳纳米管的应用
SemiconductorPhysics
2024-4-16
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CNTisatubularformofcarbonwithdiameterassmallas1nm.
Length:fewnmtocm.
CNTisconfigurationallyequivalenttoatwodimensionalgraphenesheetrolledintoatube.
CNTexhibits:
Carriermobility~100,000cm2/Vs
Young’smodulusover1TeraPascal,asstiffasdiamond;
3.Tensilestrength~200GPa.
CNTcanbemetallicorsemiconducting,dependingonchirality.
SemiconductorPhysics
2024-4-16
11
SiNanowiresasDNAsensors
Microfluidicprocess
PNA-DNAduplex
PNAreceptor
Lieber,4,51,2004
Avidin-modifiedNWwaslinkedwithbiotinylatedPNAprobes,andfollowedbyDNAhybridization.
SemiconductorPhysics
2024-4-16
12
CNTFETs
Gate
8nmHfO2
SiO2
p++Si
Pd
Pd
CNT
Delft:Tans,etal.,Nature,393,49,1998
Javey,etal.,NanoLetters,4,1319,2004
Appenzeller,etal.,PRL,93,19,2005
Drain
Source
Gate
Drain
Source
Gate
Sapphire
Substrate
Gate
Oxide
Liu,etal.,NanoLetters,6,34,2006
SemiconductorPhysics
2024-4-16
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IntegratedNanotubeSystems:
ComplementaryCarbonNanotubeInverter
CarbonNanotubeField-EffectInverters,X.Liu,R.Lee,J.Han,C.Zhou,Appl.Phys.Lett.79,3329(2001).
Oneofthefirstintegratedsystemsmadeofcarbonnanotubes.
Sibackgate
K
Vin
Vout
VDD
GND
p-typeCNT
n-typeCNT
PtypeMOSFET:
NtypeMOSFET:
Vin
Vout
0V
VDD
p
n
SemiconductorPhysics
2024-4-16
14
本章-
《半导体物理学》上册叶良修编著书上第八章的部分内容
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