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公开了三维(3D)存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。形成在衬底之上垂直地延伸并且在平面图中具有梅花形状的沟道孔。沿沟道孔的侧壁从外侧到内侧按下述顺序形成各自遵循梅花形状的连续阻挡层、连续电荷捕集层和连续隧穿层。形成各自设置在连续隧穿层的在梅花形状的相应顶点处的部分之上的多个分开的半导体沟道。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN112106199A
(43)申请公布日2020.12.18
(21)申请号202080001475.6(51)Int.Cl.
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