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本发明公开了一种带有过压斩波特性的可控硅芯片及其制备方法，芯片包含中部的N型长基区N1，P型短基区P2、P3、P4、P5、P6、P7，隔离墙P1，扩磷区域N2（或扩磷区域N2、N3、N4）等。尤其所述的：P型短基区P4与P2、P3之间由N型长基区N1隔开，P型短基区P7与P5、P6之间由N型长基区N1隔开；P型短基区P4、P7与N型长基区N1形成可控硅的斩波特性，使得可控硅既提升自身防护能力、又可以保护后端电路的器件，甚至可以取消前端的TVS保护器件，既提升了电路安全性、又简化了电路器件，且降低
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN110071171A
(43)申请公布日
2019.07.30
(21)申请号20191
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