原创力文档- 6
- 0
- 约1.27万字
- 约 10页
- 2024-04-17 发布于四川
- 举报
本发明提供一种单光子雪崩二极管的结构，包括：依次在衬底上叠设的N型掺杂InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP组分渐变层、N型掺杂InP电荷层以及InP层；像素阵列，设置在InP层，包括有多个像素；P高掺结构，设置在InP层中的多个像素之间的区域，P高掺结构从InP层表面向衬底方向扩散至第一深度，用以抑制像素间的串扰。InP微透镜阵列，设置在衬底远离N型掺杂InP缓冲层的一端表面，InP微透镜阵列包括多个InP微透镜，InP微透镜的焦点设置在InGaAs吸收层，用于将光子聚焦至有源区中的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117894812A
(43)申请公布日2024.04.16
(21)申请号202410051952.X
(22)申请日2024.01.12
(71)申请人中国科学院半导体研究所
地址1
文档评论（0）