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本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包含：一基底、位在该基底中的一控制结构、位在该控制结构的二侧壁上的多个第一间隙子、位在所述多个第一间隙子的侧壁上的多个第二间隙子以及位在该基底中的一第一掺杂区。该第一掺杂区具有一轻度掺杂区、一中度掺杂区以及一重度掺杂区。该第一掺杂区的该轻度掺杂区顶抵该控制结构的一边缘。该第一掺杂区的该中度掺杂区顶抵该第一掺杂区的该轻度掺杂区。该第一掺杂区的该中度掺杂区围绕该第一掺杂区的该重度掺杂区设置。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN112151610A
(43)申请公布日
2020.12.29
(21)申请号20201
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