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本发明提供一种三维存储器件及其制作方法，该三维存储器件包括：第一阵列结构、第二阵列结构、第一互联层和第二互联层，其中，第一互联层位于第一基底背离第一堆叠层的一侧，且具有与第一通道电连接的第一键合触点，第二互联层位于第二堆叠层背离第二基底的一侧，且具有与第二存储串电连接的第二键合触点；第一互联层和第二互联层相对设置并键合以使第一键合触点和第二键合触点电连接，以实现第一阵列结构和第二阵列结构的键合，从而能有效增加三维存储器件存储单元的数量，在低成本的情况下较好的提高存储密度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111987108A
(43)申请公布日2020.11.24
(21)申请号202010996327.4
(22)申请日2020.09.21
(71)申请人长江存储科技有限责任公司
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