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本说明书涉及一种用于采集场景的2D图像和深度图像的设备，包括：‑第一传感器(C1)，形成在第一半导体基板(100)中和其上且包括材料不同于基板材料的区域(50)，该区域位于与第一r传感器的2D图像像素(P1′)成直线的互连堆叠(110)中；以及‑与第一传感器(C1)邻接的第二传感器(C2)，其形成在第二半导体基板(130)中和其上并且包括位于与第一传感器(C1)的区域(50)相对的多个深度像素(P2)，其中，每个区域(50)包括在俯视图中具有比第二部分(50b)的表面积更小的表面积的第一部分(5
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117896632A
(43)申请公布日2024.04.16
(21)申请号202311335672.3
(22)申请日2023.10.16
(30)优先权数据
22/106112022.1
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